EUV 光刻机的重要性不用再说，台积电凭借率先引进 EUV 和拥有更多 EUV ，一直在晶圆代工方面领先于三星。为此，三星想要实现反超，开始争取获得更多的 EUV 。
如今，芯片制程向 2nm 及更先进制程发展，光刻机巨头 ASML 也推出了下一代 EUV 光刻机，并且还透露了更先进的 EUV 商用时间，不过外媒表示ASML彻底尴尬了！
近日，知名专家项立刚表独特看法，他认为「台积电 7nm 以下制程必须使用 ASML 昂贵 EUV 光刻机」就是一个惊天骗局，台积电为了垄断市场特意制造的一个壁垒。
更有意思的是，美方也被忽悠了，认为只要卡住 EUV ，就能卡住我们发展先进制程。
因此，美方一直以来紧盯光刻机限制，之前限制高端 EUV 向大陆出货，去年又极力限制浸润式 DUV 。然而，高端光刻机确实被限制了，但却没有挡住我们芯片发展。
去年华为自研麒麟芯片回归就是有力证明，不少检测一致认为达到 7nm 水平。这还不算，近日外媒【金融时报】报道大陆即将量产 5nm 芯片，恐怕也不是空穴来风。
由此，项立刚认为 7nm 、 5nm 、 3nm 等其实都是虚标的。项专家这么讲当然也有一定道理，因为进入 10nm 以后，所谓几 nm 已经不是实际宽度，而是通过计算获得。
所以连台积电专家林本坚也表示，现在 DUV 光刻机也可以实现 7nm ，甚至是 5nm 。
当然，不可否认的是制造技术确实是进步了，但进步程度并没有所标的那么大。台积电这样操作，确实把英特尔给坑得不轻，如今英特尔也开始不按实际宽度标了。
关键是，台积电这样做，曾经给 ASML 带来了不少好处，让 EUV 光刻机打开市场。
如今， EUV 光刻机已经成为 ASML 营收的重要营收支撑，台积电也因此拥有 EUV 光刻机的优先购买权，获得了最多的 EUV 光刻机。这让三星想要多得，还需要靠抢。
在这种情况下， ASML 也更进一步，推出了面向 2nm 以下更尖端制程的下一代 EUV 光刻机，也就是 High NA EUV 。原来 EUV 分辨率真为 13.5nm ，这下提升到 8nm 。
不过，这一次台积电失去了优先购买权， ASML 目前已经把首台发往了美企英特尔。
一方面是因为英特尔是美企，还是 EUV 研发联盟的发起者。另一方面也是台积电不再积极争取了，因为下一代 EUV 价格更昂贵，关键是明白实际价值并没有那么高。
英特尔重启芯片代工后，就制定了「四年五代」的技术追赶计划，想要在代工上跟台积电、三星展开竞争。为此，英特尔积极争取到了 High NA EUV 的优先购买权。
这样的话，英特尔就可以领先台积电一年实现 2nm 制程。但台积电似乎并不在意，就像之前三星领先半年实现 3nm 量产，后来台积电 3nm 制造技术还是领先于三星。
因此，即使英特尔率先获得了先进 EUV ，也未必能够真正实现对台积电的技术超越！
由此可见， High NA EUV 已经不像之前 EUV 那样受到热捧，或许就像开头项立刚讲的那样，用现有的 EUV 光刻机也可以实现 2nm 制程，所以台积电才会那样地淡定。
在这种情况下， ASML 又宣布了更先进的 Hyper-NA EUV 技术进展，就是 High NA EUV 的下一代，预计将在 2030 年左右开始商用，为未来更尖端的芯片制造提供助力。
之前， ASML 首席技术官曾提到过，认为成本过高， Hyper-NA EUV 经济层面不可行。
因为 High NA EUV 用户已经不多，如今仅剩下台积电、三星、英特尔， Hyper-NA EUV 光刻机成本继续增长一倍，一台就超过 7.6 亿美元，恐怕巨头们也难以承受了！
对此，近日有外媒直接表示： ASML彻底尴尬了 ，不仅是 EUV 光刻机技术即将走到尽头，未来恐怕还将面临EUV卖不出去局面，所以其他光刻机技术才会陆续地面世！
