美国麻省理工学院发明了一种铁电材料制成的晶体管，可能会彻底改变电子学，并在未来一二十年改变世界，这项研究已发表在6月6日【科学】杂志上。
这项基础物理的重大突破，简单来说就是科学家们利用单层石墨烯作为沟道层，和超薄的铁电体双层氮化硼结合制成铁电场效应晶体管，当施加电场时，各层会相互微微滑动导致硼和氮原子位置发生改变，从而极大地改变了材料的电子特性。
这种场效应晶体管具有三大令人印象深刻的性能优势：
能够以纳秒级速度在正负电荷（即0和1）之间切换，有利于高性能计算和数据处理。
耐久性极强，经过1000亿次开关后仍然没有任何退化迹象，远远超过传统的闪存设备。
晶体管结构超薄（厚度仅为十亿分之一米），为制造更密集的计算机内存和提高能效奠定了基础。
超快速度、超强结构、超小尺寸，研究人员认为这是基础电子学领域一项潜力无限的创新技术，将在未来一二十年彻底改变世界。
不过研究人员也承认，这项研究还处于早期阶段，制造过程极为复杂，还不适用于大规模生产，目前只制造出了单个晶体管作为演示。
他们还在研究用光脉冲等方式来触发铁电性，并测试这种开关的最终极限，同时探索批量制造的方法，希望能在晶圆级规模上进行制造，从而大规模应用于未来的电子产品。
参与这项研究的还有康奈尔大学、哈佛大学、日本国家材料科学研究所。
参考：Ultrafast high-endurance memory based on sliding ferroelectrics
