金融界2024年3月28日訊息，據國家智慧財產權局公告，台灣積體電路制造股份有限公司取得一項名為「半導體器件和形成半導體晶體管器件的方法「，授權公告號CN113517227B，申請日期為2021年3月。
專利摘要顯示，一種形成半導體晶體管器件的方法。所述方法包括在襯底上方形成鰭形溝道結構，以及在鰭結構的相對端上形成第一源極/漏極外延結構和第二源極/漏極外延結構。所述方法還包括形成圍繞鰭結構的金屬柵極結構。所述方法還包括翻轉並部份地去除襯底以形成背側覆蓋溝槽，同時沿著第一源極/漏極外延結構和第二源極/漏極外延結構的上側壁保留襯底的下部作為保護間隔件。所述方法還包括在背側覆蓋溝槽中形成背側介電帽。本申請的實施例還涉及半導體器件。
