開漏（open-drain）或開集電極（open-collector）輸出引腳由單個晶體管驅動，將引腳拉到只有一個電壓（通常是接地）。當輸出裝置關閉時，引腳被懸空（開啟，或高阻態）。
一個常見的例子是n溝道晶體管，當晶體管導通時，將訊號拉向地，或者當晶體管關斷時，將訊號保持開路。
開漏指的是在場效應晶體管技術中實作的這種電路，因為晶體管的漏極埠連線到輸出端；開集指的是雙極晶體管的集電極連線到輸出。
當晶體管關斷時，訊號可以被另一個裝置驅動，或者可以透過電阻上拉或下拉。電阻可防止未定義的漂浮狀態（高阻態）。
什麽是開集輸出
Open collector（開集）是一種電路輸出結構，它允許多個輸出裝置共享一個電路線。在Open collector電路中，輸出器件可以將輸出線拉低（接地），但不能將其拉高。因此，當輸出器件拉低時，輸出線將被拉低，而當輸出器件不拉低時，輸出線將由上拉電阻上拉到高電平。這種結構通常用於數位電路和匯流排系統中。
集電極開路輸出透過內部雙極結型晶體管 (BJT) 的基極處理 IC 的輸出，該晶體管的集電極暴露為外部輸出引腳。
對於 NPN 開路集電極輸出，NPN 晶體管的發射極在內部接地， 因此 NPN 開路集電極在內部形成短路（技術上低阻抗或「低 Z」）連線到晶體管導通時的低電壓（可能接地），或晶體管關閉時的開路（技術上高阻抗或「hi-Z」）。輸出通常連線到外部上拉電阻，當晶體管關閉時，該電阻將輸出電壓拉至電阻的電源電壓。
對於NPN開漏輸出，NPN晶體管的發射極內部連線到地，因此當晶體管開啟時，NPN開漏內部形成短路（技術上是低阻抗或「低-Z」）連線到低電壓（可能是地線），或者當晶體管關閉時形成開路（技術上是高阻抗或「高-Z」）。輸出通常連線到外部上拉電阻，當晶體管關閉時，上拉電阻將輸出電壓拉到電阻的供電電壓。
對於 PNP 集電極開路輸出，PNP 晶體管的發射極在內部連線到正電壓軌，因此集電極在晶體管導通時輸出高電壓，在晶體管截止時輸出高阻態。這有時稱為「集電極開路，驅動高」。
什麽是開漏輸出
開漏輸出（Open drain）是一種電路設計中常見的輸出模式，它允許多個裝置共享同一輸出線。在這種模式下，輸出埠可以被拉低以接地，但不能被拉高。這種設計可以用於連線到其他裝置的輸入埠，以便它們可以透過外部上拉電阻來拉高輸出埠。
上圖中的 Drain 是漏極，Source 是源極。
開漏輸出使用 MOS 晶體管 (MOSFET) 代替 BJT，並將 MOSFET 的漏極暴露為輸出。
如果沒有外部上拉電阻，當高電壓施加到 MOSFET 柵極時，nMOS 開漏輸出接地，OK 沒問題。但是，當低電壓施加到柵極時呈現高阻抗。由於 MOSFET 不導通，該高阻抗狀態下的電壓將是浮動的（未定義），這就是為什麽 nMOS 開漏輸出需要一個連線到正電壓軌的上拉電阻器以產生高輸出電壓。
使用 nMOS 開漏輸出的 MOS 管可能會提供「弱」（高電阻，通常約為 100 kΩ）內部上拉電阻，以將相關引腳連線到器件的正電源，因此它們的輸出電壓不會漂浮。這種弱上拉電阻由於其較低的 V²/R 而降低了功耗，並且可能避免對外部上拉的需要。外部上拉可能會「更強」（較低的電阻，也許 3 kΩ），以減少訊號上升時間（如 I²C）或最大限度地減少雜訊（如系統 RESET 輸入)。
現代微控制器可能允許對特定輸出引腳進行編程，以使用開漏輸出而不是推挽輸出、內部上拉的強度，並允許在不需要時禁用內部上拉。
對於 pMOS 開漏極，當晶體管導通時，輸出連線到正電源軌，而當晶體管關斷時，輸出為高阻抗。這有時稱為「開漏，驅動高」。
套用
開漏輸出和開集輸出是兩種常用的電路輸出模式，它們的區別在於使用的器件不同，開漏輸出使用MOS管，開集輸出使用三極管。這兩種輸出模式的共同特點是高電平時輸出高阻，需要借助外部上拉電阻才能輸出高電平。這樣可以實作以下幾個方面的套用：
當然，開漏輸出和開集輸出也有一些缺點，例如：
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