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每日頭條新聞
Counterpoint：2024 年前兩周華為重奪中國智慧型手機市場銷量第一
2023年蘋果手機銷售額占全球智慧型手機市場比例過半，創歷史新高
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減輕對輝達 GPU 依賴，Meta 今年將部署自研 AI 推理芯片 Artemis
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1c 奈米世代記憶體競爭：三星計劃增加 EUV 使用，美光將引入鉬、釕材料
網傳蘋果2027年推折疊屏手機,配備7-8 英寸的螢幕，展開後和體積與iPad mini接近
江波龍稱兩款SSD主控芯片已完成流片驗證並投產
TrendForce：動力電芯1月均價跌幅4%至7%，2月恐續跌
蘋果Vision Pro 虹膜身份驗證系統Optic ID：陌生人解鎖機率不到百萬分之一
微軟下一代Xbox主機或晚於 PS6釋出，大機率繼續采用AMD芯片
SK 海麗仕：計劃在 2026 年前量產 HBM4 記憶體
2023年中國消費級智慧平板市場出貨量為2818萬台，同比增長1.8%
良率0%？訊息稱三星3nm GAA工藝試產失敗
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【Counterpoint：2024 年前兩周華為重奪中國智慧型手機市場銷量第一 】
據 Counterpoint 中國智慧型手機周銷量模型追蹤的最新數據，華為在 2024 年前兩周以智慧型手機銷量第一的位置回歸中國市場。自 2019 年美國制裁實施以來，華為的銷售份額一直在下降，此次登頂標誌著其首次重獲冠軍寶座。
報告稱，搭載其自主研發的麒麟 9000S 芯片的 Mate 60 系列是華為近期成功的關鍵驅動因素。此外，其強大的品牌忠誠度以及 HarmonyOS 作業系統的成功推出也為其助力。
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【 2023年蘋果手機銷售額占全球智慧型手機市場比例過半，創歷史新高 】
市場調研機構 Counterpoint Research 發表報告稱，2023 年全球智慧型手機市場收入下降 2% 至略低於 4100 億美元，出貨量下降 4% 至 11.7 億部，這是由全球智慧型手機平均售價增長 2% 並首次達到 350 美元導致的。
受平均銷售價格增長的推動，蘋果 2023 年 iPhone 收入達到創紀錄的 2030 億美元。蘋果以 50% 的收入份額領跑市場，這是其全年歷史最高的份額。
該機構稱，2023 年每四部智慧型手機中就有一部批發價超過 600 美元。因此，雖然非高端市場經歷了兩位數的下降，但高端智慧型手機出貨量卻增長了 8%，這得益於折疊屏、生成式等新興技術以及蘋果的推動。
Counterpoint Research 的研究總監 Jeff Fieldhack 在評論蘋果 2023 年表現時表示，蘋果首次在全年內取代三星成為出貨量最大的廠商。美國是蘋果增長最大的市場，印度、加勒比地區和拉丁美洲 (CALA) 以及中東和非洲 (MEA) 等新興市場也實作了兩位數的增長，為其增長作出了巨大貢獻。
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【1c 奈米世代記憶體競爭：三星計劃增加 EUV 使用，美光將引入鉬、釕材料】
根據韓媒 The Elec 的報道，DRAM 記憶體巨頭三星和美光均將在下一個記憶體世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術。（註：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1γ nm 工藝。目前最先進的記憶體為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。）
分析機構 TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節點率先引入鉬（Mo，讀音 mù）和釕（Ru，讀音 liǎo）。這兩種金屬將作為布線材料，被用於記憶體的字線和位線中。 Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海麗仕將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。
而在三星這邊，其將進一步擴大 EUV 工藝的套用。三星是三大儲存原廠中首先引入 EUV 的企業，已將其套用至字線和位線等層中，預計在 1c nm 中 EUV 套用將擴充套件至 8-9 層。對於美光，其也將在 1γ nm 節點首次匯入 EUV 光刻。
展望未來 10nm 以下制程，Choi Jeong-dong 表示三大廠商均在研究 3D DRAM 和 4F 2 DRAM 等路線以實作進一步微縮，Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用電容器的 1T DRAM 等也是可能方向。
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【 TrendForce：動力電芯1月均價跌幅4%至7%，2月恐續跌 】
據TrendForce研究顯示，1月全球鋰電池市場仍低迷，電池廠商庫存仍待去化，生產稼動率處低檔徘徊，各類動力電芯產品均價（以下均以人民幣計）跌勢未止。其中，跌幅最大的為車用軟包三元動力電芯，月跌幅7.3%，至0.51元/Wh，預計2月均價仍將下行。
儲能電芯方面，農歷新年在即，市場需求無明顯波動，儲能電芯行業生產稼動率雖不及動力電芯，但儲能電芯價格保持相對穩定，月跌幅2.2%，至0.44元/Wh。
消費電芯方面，1月終端需求疲弱，同時鈷酸鋰原料價格持續走跌，正極材料價格月跌約7.4%，連帶影響1月鈷酸鋰電芯成本繼續小幅下滑，電芯均價月跌5.9%，至5.43 元/Ah。目前上遊原料價格止跌持穩，臨近農歷新年假期，由於上遊材料企業出現小規模的剛需補庫，近期鋰原料價格止跌後已出現小幅回漲，鈷原料價格總體趨於平穩，但在下遊需求尚未全面恢復的情況下，原料價格持續反彈的動能尚顯不足，故預期2月整體消費電芯價格走勢持平。
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【SK 海麗仕：計劃在 2026 年前量產 HBM4 記憶體】
根據 Business Korea 報道，SK 海麗仕公司副總裁 Chun-hwan Kim 在 SEMICON Korea 2024 大會上表示，他們正計劃於 2026 年之前實作 HBM4 的量產，以滿足生成式人工智慧快速發展帶來的巨大需求。生成式人工智慧市場預計將以每年 35% 的速度增長，這將推動處理器效能的提升，進而對記憶體頻寬提出更高的要求。
目前單顆 HBM3E 記憶體堆疊能夠提供高達 1.2TB / s 的理論峰值頻寬，如果一個記憶體子系統包含 6 個堆疊，總頻寬則可達到驚人的 7.2 TB / s。然而，理論值與實際套用之間存在差距。例如，輝達的 p00 顯卡雖然搭載了 HBM3E 記憶體，但其提供的頻寬「只有」4.8 TB / s，這可能是出於可靠性和功耗方面的考慮。
為了進一步提升記憶體頻寬，HBM4 將采用 2048 位介面，理論峰值頻寬可超過 1.5 TB / s。為了控制功耗，HBM4 的數據傳輸速率預計保持在 6 GT/s左右。不過，2048 位介面需要更復雜的布線設計，這將導致 HBM4 的成本高於 HBM3 和 HBM3E。
除了 SK 海麗仕，三星也在積極研發 HBM4 記憶體，並同樣計劃於 2026 年量產。
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【良率0%？訊息稱三星3nm GAA工藝試產失敗 】
根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用於 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。
報道指出由於 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能透過品質測試，導致後續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。
END
