在美日荷等國的圍堵下，中國芯片產業也出現了三道裂口！
在美日荷的封鎖和限制下，中國的芯片產業依然頑強前行，並成功撕開了三道關鍵口子。
近年來，隨著中國芯片技術的飛速發展，中國逐漸威脅到了美國在芯片行業的領導地位。對此，美國迅速采取了針對性的措施，試圖遏制中國芯片產業的發展。緊隨其後，日本和荷蘭也與美國聯手，制定了嚴厲的出口禁令，禁止關鍵半導體裝置和技術流入中國市場。
美國的封鎖計劃旨在將中國的邏輯芯片技術停留在14nm工藝水平，限制NAND快閃記憶體在128層以上的發展，阻礙DRAM記憶體技術停滯在18nm的節點。此外，美國、日本和荷蘭聯合推出了一系列禁止向中國出口先進半導體裝置的政策，尤其是在光刻機方面，波長低於193nm、分辨率小於45nm的DUV裝置被禁止出口，且需要美國政府的授權證。
面對這種嚴峻的局面，中國當然不可能坐以待斃。中國一方面利用現有的裝置，努力突破技術封鎖，另一方面積極推動國產裝置的研發和生產，替代進口裝置，以擺脫對國外裝置的依賴。
經過一段時間的努力，盡管中國仍面臨來自美日荷的封鎖，但已經撕開了三道重要的突破口。這些突破不僅顯示出中國芯片產業的韌性，還表明美國的封鎖策略並未如預期般奏效。
第一道口子：邏輯芯片的突破
美國試圖將中國的邏輯芯片技術釘選在14nm工藝水平，但現實情況遠非如此。實際上，中國的技術早已超越14nm工藝。麒麟9000S和麒麟9010芯片的問世便是一個有力的證明。這些芯片不僅展示了中國在技術層面的突破，也打破了美國試圖遏制中國芯片發展的目標。可以說，在邏輯芯片領域，中國已經成功突破了美國的封鎖。
第二道口子：NAND快閃記憶體的進展
美國原本希望將中國的NAND快閃記憶體技術停留在128層。然而，長江儲存在2022年下半年成功實作了全球第一個232層3DNAND快閃記憶體的量產，領先於美光和三星等國際巨頭。盡管美國後來限制了科磊、套用材料等公司向長江儲存提供先進裝置，但長江儲存依舊持續出貨232層堆疊的NAND產品。這不僅表明了中國在技術上的突破，更展示了在裝置方面逐步實作國產替代的能力。這一突破進一步削弱了美國的封鎖效果。
第三道口子：DRAM記憶體的崛起
在DRAM記憶體領域，中國也取得了顯著的進展。根據日本分析機構的最新數據，長鑫儲存已經躋身全球DRAM市場的第四名。長鑫的晶圓產能從2022年的每月7萬片增長到2023年的12萬片，預計到今年年底將達到20萬片，明年有望增至30萬片，保持近50%的年增長率。預計到2025年底，中國在全球DRAM市場的份額將接近16.1%，而美光的份額將下降至17.1%，這意味著兩國的份額將不相上下。這一成就標誌著中國在DRAM領域的快速崛起，並表明美國的封鎖並未能阻止中國的快速發展。
從這三個領域的突破可以看出，美國對中國芯片產業的封鎖不僅未能阻礙其發展，反而在一定程度上推動了中國芯片行業的加速前進。許多專家認為，一旦中國的芯片產業成功建立起完整的國產供應鏈，國內晶圓制造的成本將大幅下降，甚至可能減半。屆時，中國的芯片產業很可能會復制顯示面板行業的成功路徑，快速占領全球市場，最終成為全球芯片的霸主，徹底取代美國的地位。
